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DMP1045UQ	文件：417.05 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：417.05 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1045UQ-7	文件：417.05 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：417.05 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP1045UQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
MBR1045	文件：148.69 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 10 AMPERES 20 to 45 VOLTS Switchmode Power Rectifiers . . . using the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These state–of–the–art devices have the following features: • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage • 150°C Operating Junction Temperature • Guaranteed Reverse Avalanche • Ep 文件：148.69 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MBRF1045	文件：102.73 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE??Schottky Power Rectifirers SWITCHMODE Schottky Power Rectifier The SWITCHMODE Power Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large area metal–to–silicon power diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use as rectifiers 文件：102.73 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
SBD1045CT	文件：168.33 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(10A,30-45V) SWITCHMODE POWER RECTIFIERS D PAK SURFACE MOUNT POWER PACKAGE The D PAK Power rectifier employs the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art devices have the following features: * Low Forward Voltage * Low Switching noise * High Surge Capacity * Guara 文件：168.33 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
31 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
45 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
75 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
15.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多DMP1045UQ供应商更新时间2026-4-9 15:01:00

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