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DMP1008UCB9	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This 3rd generation Lateral MOSFET (LD-MOS) is engineered to minimize on-state losses and switch ultra-fast, making it ideal for high efficiency power transfer. It uses Chip-Scale Package (CSP) to increase power density by combining low thermal impedance with minimal RDS(ON) per footprint area. •LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit:\n•RDS(ON) = 5.7mΩ to Minimize On-State Losses\n•Qg = 8.2nC for Ultra-Fast Switching\n•VGS(TH) = -0.6V Typ. for a Low Turn-On Potential\n•CSP with Footprint 1.5mm  1.5mm\n•Height = 0.60mm for Low Profile\n•ESD Protection of Gate\n•Totally Lead-Free;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP10H4D2S-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOT-23	DIODES 美台半导体上传：深圳市宝芯创电子有限公司	DIODES
DMP10H4D2S-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOT-23	DIODES 美台半导体上传：深圳市宝芯创电子有限公司	DIODES
DMP10H4D2S-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	Diodes Incorporated Reel	Diodes Incorporated 上传：北京京北通宇电子元件有限公司	Diodes Incorporated
DMP2022LSSQ-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOP-8	DIODES 美台半导体上传：深圳市宏誉半导体有限公司	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
-8 V
VGS：
-6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
13.2 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5.7 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
9.1 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS(th) Min. (V)：
-0.4
VGS (th) Max：
-1.1 V
CISS Typ：
900 pF
CISS Condition [@VDS]：
-4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.2
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A
Packages：
U-WLB1515-9

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更多DMP1008UCB9供应商更新时间2025-10-9 16:01:00

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