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DMNH6042SPD	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – ensures more reliable and robust end application\nLow RDS(ON) – minimizes power losses\nLow QG – minimizes switching losses; This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance RDS(ON), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMNH6042SPD	文件：562.56 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMNH6042SPD-13	文件：562.56 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMNH6042SPDQ	文件：637.25 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMNH6042SPDQ-13	文件：637.25 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMNH6042SPDQ
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.7 A
PD @ TA = +25°C：
2.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.2 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
8.8 nC
Packages：
PowerDI5060-8 (Type C)

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更多DMNH6042SPD供应商更新时间2025-7-30 15:01:00

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