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DMNH6035SPDWQ	文件：752.87 Kbytes Page：7 Pages	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: Backlighting Power management functions DC-DC converters Features and Benefits  Rated to +175°C – 文件：752.87 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6035SPDWQ-13	文件：752.87 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N6035SDW；Package：PowerDI5060-8；60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: Backlighting Power management functions DC-DC converters Features and Benefits  Rated to +175°C – 文件：752.87 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6035SPDWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V +175?C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n•100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses\n•Low Input Capacitance\n•Wettable Flank for Improved Optical Inspections;	Diodes 美台半导体	Diodes
DTB6035	文件：235.41 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：235.41 Kbytes 页数：6 Pages	DINTEK 尚鼎芯	DINTEK
DTB6035	文件：1.27482 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：1.27482 Mbytes 页数：6 Pages	DINTEK 尚鼎芯	DINTEK
EM6035	文件：161.74 Kbytes Page：1 Pages	Omnidirectional Electret Condenser Microphone 文件：161.74 Kbytes 页数：1 Pages	SOBERTON	SOBERTON

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
IDS @ TC = +25°C：
33 A
PD @ TA = +25°C：
2.4 W
PD @ TC = +25°C：
68 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
44 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
CISS Typ：
879 pF
CISS Condition [@VDS]：
25 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
16
Packages：
PowerDI5060-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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