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DMNH6022SSDQ	文件：321.09 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：321.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6022SSDQ-13	文件：321.09 Kbytes Page：7 Pages	60V 175째C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：321.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6022SSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimiszs Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
EM-6022	文件：267.24 Kbytes Page：5 Pages	Electret Condenser Microphone 文件：267.24 Kbytes 页数：5 Pages	SOBERTON	SOBERTON
EM6022-BC	文件：187.08 Kbytes Page：1 Pages	Omnidirectional Back Electret Condenser Microphone 文件：187.08 Kbytes 页数：1 Pages	SOBERTON	SOBERTON
EM6022P	文件：427.61 Kbytes Page：5 Pages	Electret Condenser Microphone 文件：427.61 Kbytes 页数：5 Pages	SOBERTON	SOBERTON

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.1 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
27 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
14 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
32 nC
Packages：
SO-8

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