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DMNH6021SPS	文件：540.59 Kbytes Page：7 Pages	High Conversion Efficiency 文件：540.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6021SPS-13	文件：540.59 Kbytes Page：7 Pages	High Conversion Efficiency 文件：540.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6021SPSQ	文件：593.69 Kbytes Page：7 Pages	High Conversion Efficiency 文件：593.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6021SPSQ-13	文件：593.69 Kbytes Page：7 Pages	High Conversion Efficiency 文件：593.69 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH6021SPS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH6021SPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nHigh Conversion Efficiency\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Losses\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMNH6021SPSQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
23 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
28 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
28
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
19.7 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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