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DMNH4015SSDQ	文件：484.29 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：484.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4015SSDQ-13	文件：484.29 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：484.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4015SSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V +175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported up by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Minimizes Power Losses\nLow QG – Minimizes Switching Losses;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMP4015SPS	文件：379.35 Kbytes Page：6 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：379.35 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4015SPSQ	文件：502.45 Kbytes Page：8 Pages	40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：502.45 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP4015SSS	文件：550.65 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：550.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.6 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
15 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
15 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
33 nC
Packages：
SO-8

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