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DMNH4011SPSQ	文件：552.82 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：552.82 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SPSQ	文件：518.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：518.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SPSQ_17	文件：518.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：518.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SPSQ-13	文件：552.82 Kbytes Page：7 Pages	Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：552.82 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SPSQ-13	文件：518.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：518.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4011SPSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow QG – Minimizes Switching Loss\nLow RDS(ON) – Minimizes On-State Loss;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
12.9 A
PD @ TA = +25°C：
2.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
10 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
25.5 nC
Packages：
PowerDI5060-8

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