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DMNH4005SCT	文件：577.67 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：577.67 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4005SCT	文件：305.08 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMNH4005SCTQ	文件：494.66 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：494.66 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH4005SCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH4005SCTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. Low Input/Output Leakage\nLow Input Capacitance;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMNH4005SCTQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
4 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
23 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
48 nC
Packages：
TO220AB

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