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DMNH10H028SCT	文件：401.94 Kbytes Page：7 Pages	Low Input Capacitance 文件：401.94 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH10H028SCT	文件：305.54 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMNH10H028SCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments\n100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow Input Capacitance\nLow Input/Output Leakage\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMNH10H028SPS	文件：629.11 Kbytes Page：7 Pages	100V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：629.11 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH10H028SPSQ	文件：555.25 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：555.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMNH10H028SPSQ	文件：555.25 Kbytes Page：7 Pages	100V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：555.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
28 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
31.9 nC
Packages：
TO220AB

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