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DMN90H8D5HCT	文件：540.49 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：540.49 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN90H8D5HCT	文件：305.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMN90H8D5HCTI	文件：296.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DMN90H8D5HCTI	文件：512.049 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：512.049 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN90H8D5HCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. - Low Input Capacitance- High BVDSS Rating for Power Application- Low Input/Output Leakage- Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3);	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN90H8D5HCTI	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nHigh BVDSS Rating for Power Application\nLow Input/Output Leakage\nLead-Free Finish; RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
900 V
VGS：
30 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
50 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
7000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7.9 nC
Packages：
TO220AB (Type TH)

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