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DMN7022LFGQ	文件：536.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：536.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN7022LFGQ-13	文件：536.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：536.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN7022LFGQ-7	文件：536.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：536.59 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN7022LFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application\nLow RDS(ON) – Ensures On-State Losses are Minimized\nSmall form factor thermally efficient package enables higher density end products\nOccupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller;	Diodes 美台半导体	Diodes

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更多DMN7022LFGQ供应商更新时间2026-1-30 15:01:00