首页 >DMN63D8LDW>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

DMN63D8LDW

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:172.33 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN63D8LDW_15

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:172.33 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN63D8LDW-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:172.33 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN63D8LDW-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:172.33 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN63D8LDW-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:172.33 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN63D8LDW-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:172.33 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN63D8LDW

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.2 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    2800 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    4200 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    0.43 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    0.87 nC

  • Packages:

    SOT363

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
24+
SOT363
98000
原装现货假一罚十
询价
DIODES
2015+
SOT363
995300
原装现货价格优势-含16%增值税
询价
Diodes(美台)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
Diodes(美台)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
DIODES
25+
14800
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
DiodesZetex
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
DIODES
25+23+
SOT3
17313
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
DIODES
19+
SOT-363
200000
询价
DIODES/美台
20+
SMD
88800
DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
DIODES
ROHS+Original
SOT363
25890
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销
询价
更多DMN63D8LDW供应商 更新时间2025-10-9 13:26:00