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DMN62D1LFDQ	文件：663.49 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in:  Backlighting  Power Management Functions  DC-DC Converters Features and Benefits  Low On-Res 文件：663.49 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D1LFDQ-13	文件：663.49 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K63；Package：U-DFN1212-3；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in:  Backlighting  Power Management Functions  DC-DC Converters Features and Benefits  Low On-Res 文件：663.49 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D1LFDQ-7	文件：663.49 Kbytes Page：7 Pages	丝印：K64；Package：U-DFN1212-3；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in:  Backlighting  Power Management Functions  DC-DC Converters Features and Benefits  Low On-Res 文件：663.49 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D1LFDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n•ESD Protected\n;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.4 A
PD @ TA = +25°C：
0.5 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.55 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN1212-3 (Type C)

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更多DMN62D1LFDQ供应商更新时间2025-12-15 16:52:00

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