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DMN62D0UDW	文件：543.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：543.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW	文件：545.19 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDWQ	文件：545.27 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Anti 文件：545.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDWQ-13	文件：545.27 Kbytes Page：7 Pages	丝印：LEE；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Anti 文件：545.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDWQ-7	文件：545.27 Kbytes Page：7 Pages	丝印：LEE；Package：SOT363；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Anti 文件：545.27 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW_16	文件：545.19 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW-13	文件：545.19 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW-13	文件：543.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：543.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW-7	文件：543.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：543.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN62D0UDW-7	文件：545.19 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：545.19 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.35 A
PD @ TA = +25°C：
0.41 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN62D0UDW供应商更新时间2025-10-6 15:05:00

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