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DMN61D9UW	文件：485.83 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：485.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMN61D9UW-7	文件：485.83 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：485.83 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN61D9UWQ	文件：461.33 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：461.33 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMN61D9UW	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected Up To 2kV;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN61D9UWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected Up To 2kV;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.34 A
PD @ TA = +25°C：
0.44 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT323

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