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DMN6140LQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN6140LQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
N/A ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
140 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
170 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
8.3 nC
Packages：
SOT23

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