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DMN60H080DS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN60H080DS-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN60H080DS-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN60H080DS

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nHigh BVDSS Rating for Power Application\nLow Input/Output Leakage;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    600 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.08 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.1 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    100000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    290000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    1.7 nC

  • Packages:

    SOT23

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更多DMN60H080DS供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00