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DMN6075S	文件：517.88 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：517.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075S	文件：546.35 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：546.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075SQ	文件：1.92812 Mbytes Page：5 Pages	丝印：6003；Package：SOT-23；60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The uses advanced trench technolo gy to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. DMN6075SQ General Features VDS = 60V ID =3A RDS(ON) 文件：1.92812 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
DMN6075S_15	文件：551.98 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：551.98 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075S_17	文件：517.88 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：517.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075S-13	文件：546.35 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：546.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075S-13	文件：517.88 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：517.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075S-7	文件：546.35 Kbytes Page：7 Pages	Low On-Resistance 文件：546.35 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075S-7	文件：517.88 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：517.88 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6075SQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •N MOSFET\n•Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•The DMN6075SQ is suitable for automotive applications requiring specific change control and is AEC-Q101 qualifi;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.5 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
1.15 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
85 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
120 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
CISS Typ：
606 pF
CISS Condition [@VDS]：
20 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.3
Packages：
SOT23

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