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DMN6070SSD	文件：240.96 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：240.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6070SSD_15	文件：240.96 Kbytes Page：6 Pages	60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：240.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6070SSD-13	文件：240.96 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance 文件：240.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6070SSD-13	文件：1.09111 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.09111 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
DMN6070SSD	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN6070SSDQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by PPAP.\n\n •100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Low Input Capacitance\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•The DMN6070SSDQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.1 A
PD @ TA = +25°C：
1.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
80 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.3 nC
Packages：
SO-8

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