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DMN6069SFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET; Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized\nSmall Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products\nOccupies Just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Emaller End Product; This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
DMN6069SFG	文件：433.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN6069SFG	文件：542 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN6069SFG_16	文件：433.97 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN6069SFG-13	文件：542 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN6069SFG-7	文件：542 Kbytes Page：8 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN6069SFGQ	文件：527.41 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN6069SFGQ-13	文件：527.41 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN6069SFGQ-7	文件：527.41 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.6 A
PD @ TA = +25°C：
2.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
50 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
63 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.5
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
14 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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