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DMN6069SE	文件：322.96 Kbytes Page：6 Pages	Low on-resistance 文件：322.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6069SEQ	文件：694.07 Kbytes Page：7 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Motor controls  Transformer driving switches  DC-DC converters  Power management functions  Un 文件：694.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6069SEQ-13	文件：694.07 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N6069；Package：SOT223；60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:  Motor controls  Transformer driving switches  DC-DC converters  Power management functions  Un 文件：694.07 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6069SE_15	文件：322.96 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：322.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6069SE-13	文件：322.96 Kbytes Page：6 Pages	Low on-resistance 文件：322.96 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN6069SE	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN6069SEQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in: motor controls, transformer driving switches, DC-DC converters, power management functions, and uninterrupted power supplies.\n\n	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10 A
PD @ TA = +25°C：
2.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
69 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
16 nC
Packages：
SOT223

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更多DMN6069SE供应商更新时间2025-12-12 15:34:00

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