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DMN5L06K	文件：143.76 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET has been designed to minimize RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and Load switch. • Load switches • Level switches Feat 文件：143.76 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K	文件：265.84 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This new generation 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET has been designed to minimize RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and Load switch. Features and Benefits  Low On-Re 文件：265.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K	文件：175.85 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：175.85 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K-7	文件：143.76 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description and Applications This new generation 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET has been designed to minimize RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and Load switch. • Load switches • Level switches Feat 文件：143.76 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K_09	文件：175.85 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：175.85 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K_15	文件：265.84 Kbytes Page：6 Pages	null 文件：265.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K-7	文件：265.84 Kbytes Page：6 Pages	null 文件：265.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K-7	文件：175.85 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：175.85 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06KQ-7	文件：265.84 Kbytes Page：6 Pages	null 文件：265.84 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN5L06K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN5L06KQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.35 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
5000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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