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DMN53D0L-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:338.17 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN53D0LDW-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:268.51 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DMN53D0LDW-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:268.51 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN53D0LT_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:258.22 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN53D0LT-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:258.22 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN53D0LT-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:258.22 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN53D0LV_15

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:266.74 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN53D0LV-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:266.74 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN53D0LV-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:266.74 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMN53D0LW

N-Channel MOSFET

文件:243.45 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    DMN53D0LQ

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    50 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.5 A

  • PD @ TA = +25°C:

    N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    1600 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    2500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    4500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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SOT23
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SOT523
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DIODES/美台
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SOT363
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全新原装假一罚十
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DIODES
20+
SOT523
36800
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