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DMN4060SVT	文件：212.21 Kbytes Page：7 Pages	45V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：212.21 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4060SVT_15	文件：212.21 Kbytes Page：7 Pages	45V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：212.21 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4060SVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation 45V N Channel enhancement mode MOSFET has been designed to minimise RDS(on) and yet maintain superior switching performance. This device is ideally suited to Handheld and lighten application	Diodes 美台半导体	Diodes
DSTF4060C	文件：695.59 Kbytes Page：3 Pages	High frequency operation 文件：695.59 Kbytes 页数：3 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
DSTF4060C	文件：422.62 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES · High Frequency Operation · Ultra Low Forward Voltage Drop · High Junction Temperature Capability APPLICATIONS · DC/DC Converters · Switching Mode Power Supply · Free-Wheeling Diodes · Polarity Protection Diodes 文件：422.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
EGB4060AFB	文件：1.00709 Mbytes Page：63 Pages	Circuit Breakers For our complete product offering, see Volume 4—Circuit Protection, CA08100005E. Description Molded Case Circuit Breaker Molded Case Circuit Breakers Miniature Circuit Breakers Page V9-T1-5 Page V9-T1-13 Page V9-T1-19 General Applications Line protection—molded case switch, motor circuit p 文件：1.00709 Mbytes 页数：63 Pages	EATON 伊顿	EATON

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
45 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.1 A
PD @ TA = +25°C：
1.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
46 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
62 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
22.4 nC
Packages：
TSOT26

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