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DMN4035L	文件：539.59 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control 文件：539.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4035L-13	文件：539.59 Kbytes Page：7 Pages	丝印：35L；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control 文件：539.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4035L-7	文件：539.59 Kbytes Page：7 Pages	丝印：35L；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control 文件：539.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4035LQ	文件：724.59 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DIODES™ DMN4035LQ is suitable for automotive applications requiring spec 文件：724.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4035LQ-13	文件：724.59 Kbytes Page：7 Pages	丝印：35L；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DIODES™ DMN4035LQ is suitable for automotive applications requiring spec 文件：724.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4035LQ-7	文件：724.59 Kbytes Page：7 Pages	丝印：35L；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features and Benefits Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The DIODES™ DMN4035LQ is suitable for automotive applications requiring spec 文件：724.59 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN4035L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN4035LQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN4035LQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
40 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.6 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
1.4 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
42 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
52 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
CISS Typ：
574 pF
CISS Condition [@VDS]：
20 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.5
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博中泰实业有限公司	DMN4035L	DIODES/美台	24+	SOT23	60000		询价
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更多DMN4035L供应商更新时间2025-12-18 13:31:00

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