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DMN3900UFA	文件：275.7 Kbytes Page：6 Pages	ESD Protected 文件：275.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3900UFA_15	文件：275.7 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：275.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3900UFA-7B	文件：275.7 Kbytes Page：6 Pages	ESD Protected 文件：275.7 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3900UFA	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.65 A
PD @ TA = +25°C：
0.49 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
760 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
930 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
0.095 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN0806-3

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更多DMN3900UFA供应商更新时间2026-1-27 15:01:00

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