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DMN33D8LVQ	文件：611.73 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DIODES™ DMN33D8LVQ is suitable for automotive applications requiring specific 文件：611.73 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LVQ-13	文件：611.73 Kbytes Page：6 Pages	丝印：33B；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DIODES™ DMN33D8LVQ is suitable for automotive applications requiring specific 文件：611.73 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LVQ-7	文件：611.73 Kbytes Page：6 Pages	丝印：33B；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DIODES™ DMN33D8LVQ is suitable for automotive applications requiring specific 文件：611.73 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN33D8LVQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)：
Automotive
Polarity：
N+N
N)：
Y
(V)：
30 V
(±V)：
20 ±V
@TA = +25°C (A)：
0.8 A
PD @TA = +25°C (W)：
0.5 W
RDS(ON)Max @ VGS(10V)(mΩ)：
400 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)：
700 mΩ
Min (V)：
0.8 V
Max (V)：
1.6 V
= 4.5V (nC)：
0.5 nC
CISS Typ (pF)：
50 pF
(V)：
15 V
Packages：
SOT563

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