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DMN32D2LV	文件：185.25 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 文件：185.25 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN32D2LV-7	文件：185.25 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 文件：185.25 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN32D2LV_15	文件：253.14 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：253.14 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN32D2LV	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.4 A
PD @ TA = +25°C：
0.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
1500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
2200 mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT563

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更多DMN32D2LV供应商更新时间2026-10-31 11:01:00

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