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DMN31D5UDA	文件：512.75 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Ultra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3 文件：512.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDA-7B	文件：512.75 Kbytes Page：7 Pages	丝印：B7；Package：X2-DFN0806-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Ultra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3 文件：512.75 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDAQ	文件：325.06 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Ultra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3 文件：325.06 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDAQ-7B	文件：325.06 Kbytes Page：7 Pages	丝印：B7；Package：X2-DFN0806-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Ultra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3 文件：325.06 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5UDA	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Very Low Gate Threshold Voltage\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Ultra-Small Surface Mount Package 0.8mm x 0.6mm;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN31D5UDAQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL NCHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes Y/N
VDS：
30 V
VGS：
±12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.4 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
0.37 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
3000 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
CISS Typ：
22.6 pF
CISS Condition [@VDS]：
15 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.38 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
1.2 nC
Packages：
X2-DFN0806-6

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技术参数

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