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DMN31D5L	文件：575.02 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：575.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5L-13	文件：575.02 Kbytes Page：7 Pages	丝印：099；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：575.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5L-7	文件：575.02 Kbytes Page：7 Pages	丝印：099；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：575.02 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN31D5L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.5 A
PD @ TA = +25°C：
0.52 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
1500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.6 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
1.2 nC
Packages：
SOT23

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更多DMN31D5L供应商更新时间2025-10-11 16:37:00

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