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DMN3190LDWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•'ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Capable ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1 A
PD @ TA = +25°C：
0.32 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
190 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
335 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.8 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN3190LDW供应商更新时间2025-10-13 15:05:00

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