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DMN3150L	文件：175.3 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance: RDS(ON) 文件：175.3 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
DMN3150L-7	文件：155.61 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance: ◾ RDS(ON) 文件：155.61 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3150LW	文件：169.68 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance: RDS(ON) 文件：169.68 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3150LW-7	文件：169.68 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features • Low On-Resistance: RDS(ON) 文件：169.68 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3150L_15	文件：297.58 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：297.58 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3150LW	文件：468.32 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：468.32 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3150LW_16	文件：468.32 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：468.32 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3150LW-7	文件：468.32 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：468.32 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3150L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
3.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
85 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
115 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.4 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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