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DMN3061SWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•The DMN3061SWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is AEC-Q101 qualified,;	Diodes 美台半导体	Diodes
ECN3061	文件：110.53 Kbytes Page：9 Pages	HIGH-VOLTAGE MONOLITHIC IC 文件：110.53 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
ECN3061SP	文件：110.53 Kbytes Page：9 Pages	HIGH-VOLTAGE MONOLITHIC IC 文件：110.53 Kbytes 页数：9 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
±20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.7 A
PD @ TA = +25°C：
0.65 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
60 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
100 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.8 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT323

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更多DMN3061SWQ供应商更新时间2025-12-17 16:02:00

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