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DMN3032LFDBQ	文件：580.09 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDBQ-13	文件：580.09 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDBQ-7	文件：580.09 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDBQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust Application\nLow On-Resistance – Minimizes Power Losses\nLow Gate Charge – Minimizes Switching Losses\nSmall Form Factor Low Profile Package – Increased Power Density;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
30 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
42 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
10.6 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

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更多DMN3032LFDBQ供应商更新时间2025-12-1 14:01:00

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