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DMN3029LFG

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:201.32 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3029LFG_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰

文件:201.32 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3029LFG-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰

文件:201.32 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3029LFG-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI짰

文件:201.32 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN3029LFG

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate\nresistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching\nperformance, making it ideal for high efficiency power management\napplications.

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    25 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    9.5 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    18.6 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    26.5 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.8 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    5.3 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    11.3 nC

  • Packages:

    PowerDI3333-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMN3029LFG供应商 更新时间2025-12-24 11:39:00