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DMN3025LFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\nPCB Footprint of 4mm2\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3025LFDF	文件：353.53 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：353.53 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3025LFG	文件：224.12 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：224.12 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3025LSS	文件：303.14 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：303.14 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
EC3025NPASL	文件：365.83 Kbytes Page：3 Pages	Proximity Sensors Capacitive Stainless Steel Housing 文件：365.83 Kbytes 页数：3 Pages	CARLOGAVAZZI 佳乐	CARLOGAVAZZI

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.3 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
30 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.2 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type F)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN3025LFDF供应商更新时间2025-10-9 15:01:00

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