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DMN3018SFG	文件：266.22 Kbytes Page：6 Pages	ESD Protected Gate 文件：266.22 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3018SFG_15	文件：266.22 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：266.22 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3018SFG-13	文件：266.22 Kbytes Page：6 Pages	ESD Protected Gate 文件：266.22 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3018SFG-13	文件：266.22 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：266.22 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3018SFG-7	文件：266.22 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：266.22 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3018SFG-7	文件：266.22 Kbytes Page：6 Pages	ESD Protected Gate 文件：266.22 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3018SFGQ	文件：539.58 Kbytes Page：6 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：539.58 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3018SFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3018SFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AECQ101 and supported by a PPAP. Low RDS(ON) – ensures on state losses are minimized\nSmall form factor thermally efficient package enables higher density end products\nOccupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling smaller end product;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN3018SFGQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
30 V
VGS：
25 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.5 A
PD @ TA = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
21 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
13.2 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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更多DMN3018SFG供应商更新时间2026-1-29 20:40:00

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