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DMN3016LDN

Low On-Resistance

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DIODES

美台半导体

DMN3016LDN_15

30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3016LDN-13

Low On-Resistance

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DIODES

美台半导体

DMN3016LDN-13

30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3016LDN-7

30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN3016LDN-7

Low On-Resistance

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DIODES

美台半导体

DMN3016LDN

30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\n\t\n\t\tLow Input Capacitance\n\t\n\t\tFast Switching Speed\n\t\n\t\tTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n\t\n\t\tHalogen and Antimony Free. “Green” Device;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    30 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    7.3 A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.6 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    20 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    24 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    11.3 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    25.1 nC

  • Packages:

    V-DFN3030-8 (Type J)

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DIODES
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更多DMN3016LDN供应商 更新时间2025-12-24 11:01:00