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DMN3009SFG	文件：609.74 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：609.74 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3009SFG-13	文件：609.74 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：609.74 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3009SFG-7	文件：609.74 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：609.74 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMN3009SFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3009SFGQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. •Low On-Resistance \n•Low Input Capacitance;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN3009SFGQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
16 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
5.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
9 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
20 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
42 nC
Packages：
PowerDI3333-8

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