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DMN2400UFDQ

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN2400UFDQ-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

DMN2400UFDQ-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN2400UFDQ

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power anagement applications. Low On-Resistance\nVery low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max.\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nESD Protected Gate;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    Yes

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    0.9 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.9 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.8 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    600 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    800 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    1000 mΩ

  • VGS (th) Max:

    1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    0.5 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    U-DFN1212-3 (Type C)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DMN2400UFDQ供应商 更新时间2026-2-2 19:45:00