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DMN2310UWQ	文件：545.13 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2310UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is 文件：545.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UWQ-13	文件：545.13 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE4；Package：SOT323；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2310UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is 文件：545.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UWQ-7	文件：545.13 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE4；Package：SOT323；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2310UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is 文件：545.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.\n\n •Low On-Resistance\n•Fast Switching Speed\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•The DMN2310UWQ is suitable for automotive applicationsrequiring specific change control; this part is AEC-Q101qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949certified facilities.https://www.diodes.com/qu;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.3 A
PD @ TA = +25°C：
0.55 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
280 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
380 mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT323

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