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DMN2310UT	文件：708.57 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive ap 文件：708.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UT-13	文件：708.57 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE7；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive ap 文件：708.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UT-7	文件：708.57 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE7；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive ap 文件：708.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UTQ	文件：605.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)  Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive a 文件：605.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UTQ-13	文件：605.12 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE7；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)  Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive a 文件：605.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UTQ-7	文件：605.12 Kbytes Page：7 Pages	丝印：BE7；Package：SOT523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)  Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive a 文件：605.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2310UT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2310UTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN2310UTQ
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.49 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
200 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
280 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
380 mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	DMN2310UT-13	DIODES(美台)	24+	SOT523(SC75)	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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更多DMN2310UT供应商更新时间2025-12-6 23:00:00

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