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DMN2080UCB4	文件：590.1 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：590.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2080UCB4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) with thin WLCSP packaging process and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Built-in G-S Protection Diode Against ESD 2kV HBM\nTrench-MOS Technology with The Lowest RDS(ON):\nRDS(ON) = 43mΩ to Minimize On-State Losses\nVGS(TH) = 0.7V Typ. for A Low Turn-On Potential\nCSP with Footprint 0.8mm × 0.8mm\nHeight = 0.35mm for Low Profile\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2080UCB4-7	文件：590.1 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：590.1 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2300UFD-7-81	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES/美台 X1-DFN1212-3	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMN24H3D5L-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES SOT-23	DIODES 美台半导体上传：深圳市科芯源微电子有限公司	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4 A
PD @ TA = +25°C：
1.25 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
56 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
68 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
90 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-WLB0808-4 (Type B)

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