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DMN2065UWQ	文件：500.6 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：500.6 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2065UWQ-7	文件：500.6 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：500.6 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2065UWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2065UW-TP	文件：1.70911 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application + Load/Power Switching + Interfacing Switching. * Logic Level Shift 文件：1.70911 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMP2065U	文件：362.08 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacita 文件：362.08 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMP2065UFDB	文件：381.48 Kbytes Page：7 Pages	DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：381.48 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2.8 A
PD @ TA = +25°C：
0.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
56 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
65 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
93 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.1 nC
Packages：
SOT323

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