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DMN2058U	文件：486.06 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：486.06 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2058UW	文件：485.78 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：485.78 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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DMN2058UW-7	文件：485.78 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：485.78 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2058U	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2058UW	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
4.6 A
PD @ TA = +25°C：
1.13 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
40 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
60 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
91 mΩ
VGS (th) Max：
1.2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7.7 nC
Packages：
SOT23

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