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DMN2014LHAB中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
DMN2014LHAB规格书详情
描述 Description
This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
应用 Application
Power Management Functions
\t
\t\tBattery Pack
\t
\t\tLoad Switch
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\t\t\t\tProduct Specifications
技术参数
- 制造商编号
：DMN2014LHAB
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：On Request*
- Polarity
：N+N
- ESD Diodes
：Yes
- VDS
：20 V
- VGS
：12 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：9 A
- PD @ TA = +25°C
：0.8 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：13 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：18 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：28 mΩ
- VGS (th) Max
：1.1 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：16 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：37 nC
- Packages
：U-DFN2030-6 (Type B)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
4913 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
DIODES(美台) |
24+ |
DFN6(2x3) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2450+ |
U-DFN2030-6 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
SOT23 |
30000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
U-DFN2030-6 |
12000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
DIODES |
18+ |
DFN |
475 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
美台原厂超低价支持 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
U-DFN2030-6 |
24000 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
Diodes |
22+ |
UDFN20306 (Type B) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
23+ |
U-DFN2030-6 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 |
