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DMN1150UFL3	文件：661.65 Kbytes Page：7 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：661.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN1150UFL3	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Footprint of Just 1.3 mm2\nUltra-Low Profile Package - 0.35mm Profile\nLow Gate Threshold Voltage\nFast Switching Speed\nUltra-Small Surface Mount Package\nESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN1150UFL3-7	文件：661.65 Kbytes Page：7 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：661.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2011UFDE-7	文件：0 bytes Page：0 Pages	U-DFN2020-6	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台
DMN2044UCB4-7	文件：0 bytes Page：0 Pages		DIODESINC 上传：深圳市三芯电子有限公司	DIODESINC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
12 V
VGS：
6 ±V
IDS @ TA = +25°C：
2 A
PD @ TA = +25°C：
0.9 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
150 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
185 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
210 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
1.4 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
X2-DFN1310-6 (Type B)

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更多DMN1150UFL3供应商更新时间2026-4-9 15:01:00

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