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DMN10H220LQ	文件：401.65 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：401.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LQ-13	文件：401.65 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：401.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LQ-7	文件：401.65 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：401.65 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements ofAutomotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by aPPAP and is ideal for use in:- Load Switch - Low On-Resistance- Low Input Capacitance- Fast Switching Speed- Low Input/Output Leakage- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability- PPAP Capable (Note 4);	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
16 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.6 A
PD @ TA = +25°C：
1.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
220 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
250 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
8.3 nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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