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DMN10H220LFVW	文件：634.03 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1H2；Package：PowerDI3333-8；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  100 Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Wettable Flank for Improved Optical Inspections  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony 文件：634.03 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LFVW-13	文件：634.03 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1H2；Package：PowerDI3333-8；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  100 Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Wettable Flank for Improved Optical Inspections  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony 文件：634.03 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LFVW-7	文件：634.03 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1H2；Package：PowerDI3333-8；100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  100 Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Wettable Flank for Improved Optical Inspections  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony 文件：634.03 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN10H220LFVW	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production\n•Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•Wettable Flank for Improved Optical Inspections\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
2.4 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
222 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
270 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7.4 nC
Packages：
PowerDI3333-8 (SWP)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百诺芯科技有限公司	DMN10H220LFVW-7	DIODES/美台	23+	NA	12730	原装正品代理渠道价格优势	询价
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